熱點(diǎn)
在2月舉行的SPIE高級(jí)光刻會(huì)議上，ASML展示了有關(guān)其深紫外線（DUV）和極紫外線（EUV）曝光系統(tǒng)的最新信息。
ASML已生產(chǎn)了兩個(gè)DUV平臺(tái)，即用于干式曝光工具的XT平臺(tái)和用于浸沒的NXT平臺(tái)。NXT是更快，更復(fù)雜的平臺(tái)。
對(duì)于領(lǐng)先的沉浸式技術(shù)，ASML推出了面向ArF浸入（ArFi）的第四代NXT平臺(tái)——NXT：2050i。新系統(tǒng)具有新的晶圓處理機(jī)（wafer handler），晶圓載物臺(tái)（wafer stage），標(biāo)線片載物臺(tái)（reticle stage），投影透鏡（projection lens），激光脈沖展寬器（laser pulse stretcher）和浸沒罩（immersion hood）。這樣就可以更快地進(jìn)行硅片對(duì)硅片的排序，更快的測(cè)量，防護(hù)膜偏斜校正（pellicle deflection ）以及具有改善覆蓋率的改善斑點(diǎn)。新系統(tǒng)的吞吐量為每小時(shí)295個(gè)晶圓（wph）。較長(zhǎng)期的計(jì)劃是建立一個(gè)330 wph的系統(tǒng)。
ASML現(xiàn)在正在采用NXT平臺(tái)，并在第一臺(tái)面向ArF Dry的NXT：1470系統(tǒng)上移植干鏡，該系統(tǒng)提供300wph（比NXT：20250i快一點(diǎn)，因?yàn)樗鼪]有沉浸開銷）。NXT：1470的300 wph吞吐量高于XT：1460K的約200 wph的吞吐量。將來，NXT：1470的吞吐能力將進(jìn)一步提高到330 wph。還計(jì)劃以330 wph的速度將KrF干鏡移植到NXT平臺(tái)上。
ASML繼續(xù)在其整個(gè)DUV和EUV系統(tǒng)產(chǎn)品組合中提高吞吐量和分辨率。隨著高NA系統(tǒng)制造的進(jìn)行，通往1.5nm邏輯及更高工藝的道路正在醞釀之中。
