隆德大學選擇eulithaphablerDUV光刻系統開發100納米的納米線器件
【據semiconductor-today官網2017年3月22日報道】近日，美國康奈爾大學、Qorvo公司和IQERFLLC報道了他們在獨立制造的氮化鎵（GaN）上生長的垂直勢壘肖特基二極管（JBSDs）的工作[WenshenLi,etal,IEEETransactionsonElectronDevices,publishedonline21February2017]。其目的是結合肖特基勢壘二極管和pn二極管（PND）的良好特性應用于電源。
【據Sciencedaily網站2017年3月23日報道】阿爾托大學的TanjaKallio和KariLaasonen教授領導的一批研究人員開發了一種電催化劑的制造方法，該方法是基于碳納米管的特殊特征。新材料僅使用商業產品中鉑量的百分之一，但其活性與商業電催化劑相似。研究結果發表在科學雜志“ACS催化”雜志上。
金屬材料的強度或硬度往往隨晶粒尺寸減小而增加，遵循基于位錯塞積變形機制的Hall-Petch關系，即強度的增加與晶粒尺寸的平方根成反比。而當晶粒尺寸低于某臨界晶粒尺寸（通常為10-30納米）時，金屬的強度會偏離Hall-Petch關系，有些金屬的強度不再升高甚至下降，這種納米尺度下的軟化現象通常歸因于納米金屬中大量晶界的遷移。
2015年11月2日，C919首架機在中國商飛總裝制造中心浦東基地正式下線。據中國商飛工作部署，2016年C919已完成各項基礎測試工作，目前已進入最后的首飛準備階段。《經濟參考報》記者從工信部和中航工業試飛中心確認，C919有望在今年上半年完成首飛。日前，中國商飛C919總設計師吳光輝也向外透露，C919近期已在浦東機場跑道和滑行道分別進行了滑行測試，首飛在即。
